觀點(diǎn)提要:
1、行業(yè)走出下行通道,2024年或?qū)⑦~入新一輪成長(zhǎng)周期
2、創(chuàng)新引領(lǐng),先進(jìn)封裝/存儲(chǔ)/材料凸顯
3、國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
2023→2024
有望開(kāi)啟新一輪成長(zhǎng)周期
2023 年上半年,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)受到了多重因素的影響,導(dǎo)致銷(xiāo)售額出現(xiàn)明顯下滑。其中最主要原因是客戶(hù)端個(gè)人電腦、消費(fèi)電子、服務(wù)器行業(yè)的庫(kù)存修正。此外貿(mào)易摩擦、全球芯片制造能力短缺等因素,都給行業(yè)帶來(lái)了不確定性和壓力。2023 年下半年,行業(yè)迎來(lái)反彈,客戶(hù)端行業(yè)庫(kù)存調(diào)整基本完成,需求開(kāi)始恢復(fù);汽車(chē)和智能設(shè)備等新興行業(yè)的需求增長(zhǎng)迅速,推動(dòng)了芯片的出貨量。行業(yè)進(jìn)入了一個(gè)新的增長(zhǎng)周期。
2024年,隨著信息技術(shù)時(shí)代向人工智能時(shí)代加速發(fā)展,重構(gòu)生產(chǎn)效率、交互方式等經(jīng)濟(jì)活動(dòng)各環(huán)節(jié),以AI手機(jī)、AI PC、AI PIN等為代表的終端創(chuàng)新不斷涌現(xiàn),AI技術(shù)的快速發(fā)展催生高算力芯片的需求,因此異構(gòu)集成、新材料等有望迎來(lái)快速發(fā)展。
先進(jìn)封裝/存儲(chǔ)/材料,創(chuàng)新技術(shù)引領(lǐng)
一、先進(jìn)封裝加速迭代,邁向2.5D3D封裝技術(shù)
先進(jìn)封裝除了實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)封裝的機(jī)械保護(hù)、電氣與機(jī)械連接和散熱功能外,還肩負(fù)著提升芯片性能的作用。前道晶圓加工技術(shù)迭代趨于瓶頸,尤其在美、日、荷相繼加大設(shè)備制裁的背景下,我國(guó)先進(jìn)制程短期受阻,先進(jìn)封裝有望成為彎道超車(chē)的重要技術(shù)路線。
二、HBM賦能AI計(jì)算,龍頭加速布局
隨著生成式人工智能實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式發(fā)展,數(shù)據(jù)吞吐量巨大,HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)成為AI芯片的標(biāo)配。目前主流的大模型訓(xùn)練芯片英偉達(dá)A100、H100,谷歌TPU5、AMD MI300 等均采用HBM,預(yù)計(jì)截至到今年底HBM全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)150億美元。
三、功率半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域受益顯著
由于新能源、工業(yè)自動(dòng)化、數(shù)據(jù)中心的滲透率不斷提高,對(duì)用電效率與熱管理提出較高要求,使得IGBT、MOSFET(硅基、SiC)等中高功率器件需求旺盛,其中 IGBT(<100KHz,600-6500V)適用于軌道交通、工控、新能源、汽車(chē)電子等高壓中低頻領(lǐng)域;MOSFET(100-1000KHz,20-1200V)適用于消費(fèi)電子、通信、汽車(chē)電子等高頻中高壓領(lǐng)域。
四、MEMS應(yīng)用空間潛力巨大
MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))被廣泛集成到汽車(chē)電子、智能家居、智能電網(wǎng)等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域。隨著大量創(chuàng)新產(chǎn)品及應(yīng)用的發(fā)展,以及MEMS在工業(yè)生產(chǎn)及日常生活的普及化,MEMS市場(chǎng)迎來(lái)新的增長(zhǎng)機(jī)遇。據(jù)Yole預(yù)測(cè),到2026年,MENS傳感器全球市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至 128 億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率為6.1%。
行業(yè)展望,國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)
國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)??焖僭鲩L(zhǎng),需求旺盛,但高端產(chǎn)品國(guó)內(nèi)供給不足。隨著美國(guó)限制力度不斷加大,當(dāng)前國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫。人工智能將成為半導(dǎo)體下一個(gè)超級(jí)周期的催化劑,隨著新能源汽車(chē)、光伏、5G、工業(yè)、智能化的市場(chǎng)推動(dòng),預(yù)計(jì)產(chǎn)業(yè)鏈有望自上而下開(kāi)啟第二輪國(guó)產(chǎn)化周期,國(guó)產(chǎn)替代空間將進(jìn)一步打開(kāi)。
風(fēng)險(xiǎn)提示:
1、宏觀經(jīng)濟(jì)下行獲將影響行業(yè)復(fù)蘇進(jìn)度:當(dāng)前電子行業(yè)處于周期底部,而國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)壓力依然較大,可能影響下游市場(chǎng)需求的恢復(fù)速度和去庫(kù)存進(jìn)度,對(duì)收入增長(zhǎng)和盈利水平產(chǎn)生不利影響,無(wú)法支撐較大規(guī)模的資本支出。
2、外部制裁升級(jí)風(fēng)險(xiǎn):我國(guó)電子行業(yè)對(duì)全球科技產(chǎn)業(yè)鏈仍具有依賴(lài)性,若美國(guó)、日本、荷蘭等國(guó)的制裁進(jìn)一步升級(jí),可能會(huì)對(duì)行業(yè)產(chǎn)業(yè)升級(jí)和擴(kuò)張?jiān)斐刹涣加绊憽?/span>
3、下游需求對(duì)產(chǎn)業(yè)拉動(dòng)效應(yīng)不及預(yù)期:消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)如智能手機(jī)、平板等產(chǎn)品存在創(chuàng)新乏力、換機(jī)周期較長(zhǎng)等風(fēng)險(xiǎn);AI領(lǐng)域存在未來(lái)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇、產(chǎn)品不能有效與應(yīng)用實(shí)踐相結(jié)合等風(fēng)險(xiǎn),可能會(huì)影響其對(duì)電子行業(yè)發(fā)展的帶動(dòng)效應(yīng)。
4、新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品無(wú)法如期產(chǎn)業(yè)化:半導(dǎo)體行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè),需緊跟整個(gè)行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì),及時(shí)、高效地研究開(kāi)發(fā)符合市場(chǎng)和客戶(hù)需求的新技術(shù)、新工藝及新產(chǎn)品。如果在技術(shù)研發(fā)上出現(xiàn)一些波折,不能及時(shí)加大資本投入進(jìn)行新技術(shù)的研發(fā),或不能及時(shí)購(gòu)入先進(jìn)設(shè)備,將面臨新技術(shù)、新工藝、新產(chǎn)品無(wú)法如期產(chǎn)業(yè)化的風(fēng)險(xiǎn)。
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